直探頭頻率大小對(duì)鍛件缺陷當(dāng)量的影響

不知道大家有沒(méi)有遇到過(guò)這種情況，鍛件中的一個(gè)缺陷，2.5MHZ的直探頭探測(cè)缺陷當(dāng)量1mm不注意的話幾乎看不到缺陷幾乎被埋藏在雜波中了，改用2MHZ直探頭探測(cè)非常明顯的缺陷波，為2mm當(dāng)量，1.25MHZ直探頭探測(cè)為4mm當(dāng)量，這是怎么回事，究竟以哪個(gè)探頭來(lái)定量缺陷大小。請(qǐng)大家不吝賜教！


上圖片，大家看下，現(xiàn)在究竟如何定量和定性缺陷，望高人指點(diǎn)。另外，探頭在工件上左右移動(dòng)時(shí)波形無(wú)明顯變化。

一般探頭的頻率決定了可探測(cè)到缺陷的最小尺寸。如你所用的2.5M探頭可檢測(cè)到的最小尺寸約為半波長(zhǎng)1.18mm 當(dāng)量大小的缺陷；2M約為1.5mm;1.25M約為4.72mm;所以你觀察到的情況，還是符合實(shí)際情況的。
所以判定缺陷大小需要用參考試塊進(jìn)行比較。一般用2.5M探頭，fai2 當(dāng)量的參考試塊進(jìn)行定量就可以了。

鍛件缺陷定當(dāng)量 對(duì)于同一個(gè)缺陷來(lái)說(shuō)用不同頻率探頭對(duì)缺陷定量不應(yīng)該出現(xiàn)較大偏差（探頭其它參數(shù)不變只改變頻率），具體分析一下出現(xiàn)較大偏差的原因。
1. 頻率改變后探頭的近場(chǎng)區(qū)長(zhǎng)度 跟 半擴(kuò)散角 會(huì)發(fā)生改變  
因此 由于干涉影響近場(chǎng)區(qū)內(nèi)存在聲壓極大極小值 三倍近場(chǎng)區(qū)以內(nèi)計(jì)算法是不能比較的，同樣由于半擴(kuò)散角也改變?nèi)绻毕菟谖恢貌荒鼙宦暿耆采w 那么也是不能比較的。
2.當(dāng)缺陷頻率改變后 超聲波波長(zhǎng)會(huì)發(fā)生改變 因?yàn)椴煌ㄩL(zhǎng)對(duì)同一個(gè)缺陷的透射能力會(huì)有差異 因此缺陷的性質(zhì)也會(huì)影響缺陷波高低。
3.頻率改變后聲束直徑會(huì)發(fā)生改變 因此當(dāng)掃查靠近工件側(cè)面缺陷的時(shí)候 不同寬度聲束的側(cè)壁干涉區(qū)域會(huì)不同 因此對(duì)聲束能量影響是無(wú)法得到修正的 故不宜放在一塊比較。
4.材料的晶粒大小對(duì)不同波長(zhǎng)的超聲波影響也是不一樣的，就本工件來(lái)說(shuō)可以暫且忽略。
5.以上討論均是在理想狀態(tài)下進(jìn)行的 現(xiàn)在說(shuō)一下探頭 探頭的標(biāo)稱頻率不是單一的就一個(gè)固定頻率 它是由一個(gè)范圍內(nèi)的不同頻率合成的 而且低頻的探頭很難做！因此你能保證你所用的探頭頻率偏差不大嗎？（國(guó)產(chǎn)低頻探頭實(shí)在不敢恭維）。
就以上幾點(diǎn)放到本工件上來(lái)看我想影響最大的應(yīng)該是側(cè)壁干涉 跟所選對(duì)比低頻探頭的質(zhì)量  
此工件要定量還是用對(duì)比試塊較為妥當(dāng)
以上為個(gè)人愚見(jiàn) 請(qǐng)各位前輩指正

明天上缺陷波形圖

鍛件需要用這么低頻的探頭嗎

這個(gè)不一定的，要看鍛件的大小，晶粒組織

你都做avg/dgs曲線了嗎？

在滿足信噪比或分辨力、靈敏度的情況下，以較高頻率定量要約為準(zhǔn)確一些；遇到晶粒粗大，才考慮更換頻率較低的探頭檢測(cè)。

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圖片改到主貼了，望大家不吝賜教。

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